Разработанный метод предполагает, что временная подложка должна соответствовать итоговой форме. Постоянная подложка наносится со стороны графеновой пленки, после чего временная удаляется. Так как графен осаждается сразу в нужной форме и его не нужно «натягивать» на конечную подложку, дефектов не образуется. При этом за счет 3D-формы исходной подложки достигается существенное расширение возможностей по сравнению с традиционными методами, так как электронные схемы уже необязательно делать плоскими или с формой, близкой к плоской, но как угодно сложными в трехмерном пространстве с разрешением в сотни нанометров.
На медной каталитической подложке формируется маска из фотополимера в форме синтезируемой графеновой структуры. Затем подложка покрывается слоем хрома, после чего полимер удаляется, и на ней остается негативная маска из хрома требуемой формы. Хром выдерживает высокую температуру синтеза графена и пассивирует его рост в закрытых областях. Работа сколтеховцев найдет широкое применение и обеспечит России передовые технологии в области гибкой и прозрачной электроники.
Источник: портал «Научная Россия», фото: yandex.ru
