Это продолжение работы специалистов ИФП СО РАН по созданию элементов памяти для гибкой электроники на основе соединений графена. Ранее они создали мемристоры, модифицируя графен химическим путем с целью получить систему квантовых точек в матрице фторированного графена. Новый способ позволяет более контролируемо добиться создания нужной для работы мемристоров системы. Мемристор по своим свойствам похож на синапс — место контакта двух нейронов. В отличие от транзистора, мемристор способен не только передавать информацию в режиме «0» или «1», а еще и присвоить ей уровень значимости. Мемристоры способны «запоминать» количество протекшего через них заряда и менять свое сопротивление в зависимости от этого.
Источник: www.ixbt.com
