Нанопроволоки состоят из повторяющихся наноразмерных сегментов железа и золота, в которых первые являются магнитными и, соответственно, должны запоминать информацию, а вторые — разделять их в пространстве. Каждый магнитный элемент в таких устройствах может существовать с двумя направлениями намагниченности, которые можно закодировать как 0 и 1, что позволяет записывать и хранить в них информацию. В отличие от существующих устройств магнитной записи, устройства магнитной памяти следующего поколения смогут размещать запоминающие ячейки в трехмерном пространстве, тем самым многократно увеличивая плотность записи на единицу площади. Более того, в такой памяти не будет движущихся частей, а будут двигаться сами биты. Трехмерная конфигурация и плотная упаковка таких сегментов позволят сделать память дешевой, быстрой, экономичной и надежной. Устройства магнитной памяти на основе плотно упакованных магнитных нанопроволок могут стать прорывом в вычислительных технологиях. Хранение информации в них не зависит от наличия электропитания, запись одного бита требует намного меньше энергии, происходит быстрее, а сама память долговечнее, поскольку отсутствуют механические части и полупроводниковые элементы.
Ученые ДВФУ разрабатывают магнитную память на принципах спин-орбитроники. Запись в такой памяти осуществляется спиновым током без приложения внешних магнитных полей, а информация хранится без потребления энергии. В дальнейшем это откроет новые возможности для реализации аппаратных систем искусственного интеллекта и квантового компьютера.
Источник: портал «Научная Россия», фото: yandex.ru
